Für die Silizium-Photonik ist es langfristig von großer Bedeutung, auch eine Laserquelle in den Siliziumchip zu integrieren. Aufgrund seiner Halbleitereigenschaften eignet sich Silizium nicht als Lasermaterial (indirekter Bandübergang). Eine hohe Raman-Verstärkung ermöglicht jedoch die Verwendung von Silizium für optische Raman-Verstärker und Raman-Laser. Durch Pumpen mit einem gütegeschalteten Nd:YAG-MOPA System konnte von uns bei einer Temperatur von 10 K Lasertätigkeit in einem Si-Einkristall bei 1.127 µm demonstriert werden. Ebenso wurden umfangreiche Untersuchungen zur Raman-Verstärkung in Si-Wellenleitern durchgeführt. Unter Verwendung eines Raman-Faserlasers bei 1454.8 nm mit einer Leistung von 160 mW konnte in Wellenleitern der Breite 2 µm eine Raman-Verstärkung von 0,6 dB, und bei einer Breite von 0,45 µm von 1 dB bei einer Wellenlänge von 1574.2 nm erzielt werden.
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