Modulatoren

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Unter Verwendung von Mikroresonatoren mit 1-dimensionalen photonischen Kristallspiegeln wurden ultrakleine elektro-optische Fabry-Pérot-Modulatoren entwickelt. Durch die Verwendung einer neuartigen kammförmigen NMD-(node matched diode) Diodengeometrie steht uns nun der weltweit kleinste Silizium Photonik Modulator mit Gbit/s Geschwindigkeiten zur Verfügung und erlaubt wesentlich geringere Bauformen, was insbesondere bei der Bandbreitenskalierung durch mehrere Datenkanäle von großer Bedeutung ist. Die Modulatoren haben eine minimale Länge von 8,8 µm in Wellenleitern mit einem Querschnitt von 220 nm x 450 nm. Die Validierung dieses Modulatortyps wird momentan vom BMBF im Rahmen des VIP-Projektes „SILIMOD“ gefördert. mehr zu: Modulatoren

Raman Laser

Für die Silizium-Photonik ist es langfristig von großer Bedeutung, auch eine Laserquelle in den Siliziumchip zu integrieren. Aufgrund seiner Halbleitereigenschaften eignet sich Silizium nicht als Lasermaterial (indirekter Bandübergang). Eine hohe Raman-Verstärkung ermöglicht jedoch die Verwendung von Silizium für optische Raman-Verstärker und Raman-Laser. Durch Pumpen mit einem gütegeschalteten Nd:YAG-MOPA System konnte von uns bei einer Temperatur von 10 K Lasertätigkeit in einem Si-Einkristall bei 1.127 µm demonstriert werden. Ebenso wurden umfangreiche Untersuchungen zur Raman-Verstärkung in Si-Wellenleitern durchgeführt. Unter Verwendung eines Raman-Faserlasers bei 1454.8 nm mit einer Leistung von 160 mW konnte in Wellenleitern der Breite 2 µm eine Raman-Verstärkung von 0,6 dB, und bei einer Breite von 0,45 µm von 1 dB bei einer Wellenlänge von 1574.2 nm erzielt werden. mehr zu: Raman Laser