Inhalt des Dokuments
Virtual GaN substrates via Sc2O3/Y2O3 buffers on Si(111): TEM characterization of growth defects
T. Niermann, D. Zengler, L. Tarnawska, P. Stork, T. Schroeder, M. Lehmann
Virtual GaN substrates via Sc2O3/Y2O3 buffers on Si(111): TEM characterization of growth defects
Journal of Applied Physics 113 (2013) 223501
DOI: 10.1063/1.4809561
Interface science of virtual GaN substrates on Si(111) via Sc2O3/Y2O3 buffers: Experiment and Theory
L. Tarnawska, J. Dabrowski, T. Grzela, T.Niermann, M. Lehmann, R. Paszkiewicz, P. Storck, and T. Schroeder
Interface science of virtual GaN substrates on Si(111) via Sc2O3/Y2O3 buffers: Experiment and Theory
Journal of Applied Physics 113 (2013) 213507
DOI: 10.1063/1.4807907
Zusatzinformationen / Extras
Direktzugang
Schnellnavigation zur Seite über Nummerneingabe
Hilfsfunktionen
Diese Seite verwendet Matomo für anonymisierte Webanalysen. Mehr Informationen und Opt-Out-Möglichkeiten unter Datenschutz.
Prof. Dr. Michael Lehmann
+49 (0)30-314 22567
Ernst-Ruska-Gebäude
Raum ER 292
E-Mail-Anfrage
Webseite
+49 (0)30-314 22567
Ernst-Ruska-Gebäude
Raum ER 292
E-Mail-Anfrage
Webseite